起業を目指す方へ be a successful entrepreneur
Pham Nam Hai
研究代表者
Pham Nam Hai 教授
工学院
課題名
超省力・超高速・高分解能エッジAI半導体に向けたSOT-MRAM不揮発性メモリ
技術シーズの概要
超省力・超高速書SOT-MRAM不揮発性メモリ技術。
本メモリ技術は、トポロジカル量子材料をスピン注入源に用いて、従来の半導体メモリの問題点を解決できる、不揮発性、高速性、高耐久性を持ち合わせた「スピン軌道トルク(SOT)-磁気抵抗メモリ(MRAM)」。本メモリ技術を使えば、高速半導体メモリを不揮発性化でき、超省力・超高速人工知能や車載半導体の不揮発性メモリとして幅広く普及する。
事業仮説（申請時）
トポロジカル量子材料のSi/SiOx基板上の成膜技術、トポロジカル量子材料を集積した超高速・超省電力SOT-MRAMデバイス技術、さらに、SOT-MRAMを応用したComputing in Memoryの超省力・超高速・高分解能AI回路技術を協力企業とともに研究開発を行う。SOT-MRAMおよびエッジAIのプロタイプ実証を行い、事業モデルの仮説検証を進め、事業化を目指す。
活動計画（申請時）
- Si/SiOx基板上に高品質、高配向性BiSbトポロジカル絶縁体の成膜技術を確立し、スピンホール角～4以上を確認
- Si/SiOx基板上に高品質、高配向性YPtBiトポロジカル半金属の成膜技術を確立し、スピンホール角～4以上を確認
- 協力企業との産学連携を提案し、大型グラントの応募と採択確保