総合研究院 フロンティア材料研究所
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AIの普及やデータセンターの拡大に伴い、情報処理に必要な電力消費は今後ますます増加すると予想されています。本研究では、この課題の解決に向けて、コンピュータシステムの主要な消費電力要因の一つであるメモリの省電力化を目指し、新しい動作原理に基づく相変化メモリを開発しています。従来の相変化メモリとは異なり、結晶構造の可逆的な変化を利用して情報を記録することで、超低消費電力と高速動作を両立する次世代メモリの実現を目指しています。
本研究で生み出した新しい相変化メモリを、材料研究の成果にとどめず、企業との共同研究を通じてデバイス化・実用化へと発展させたいと考えています。既存技術の延長ではなく、メモリの動作原理そのものを刷新する日本発の技術として、AI、データセンター、エッジデバイスなど幅広い情報機器への展開を目指します。
片瀬研究室 |東京科学大学 総合研究院 フロンティア材料研究所
新材料、固体化学、半導体、薄膜デバイス