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辻　昌武

研究代表者

辻　昌武　特任助教

総合研究院　元素戦略MDX研究センター

課題名

高水素耐性を有する高安定性・高移動度酸化物TFTの創製と次世代応用

研究の概要

高移動度酸化物半導体（HMO）は、ディスプレイや次世代メモリー用TFTの性能を飛躍させることが期待されている。しかし、動作の高速化と環境安定性の両立、特に製造工程で生じる「水素不純物の侵入」と「接触抵抗」の克服が実用化の鍵となる。本研究では、独自に着想した「触媒的還元技術」による界面抵抗の改善と、既存のプロセスと親和性が高い「水素ブロッキング層」の導入により、不純物の影響を抑えた高信頼・高速動作TFTを実証する。ディスプレイから次世代メモリーまで、電子デバイスのさらなる進化と社会実装を目指す。

研究成果の事業化によって成し遂げたいビジョンや思い

現代の半導体技術の急速な発展において、研究成果を社会実装するには、世界中の量産ラインへ円滑に導入できるオープンな普及戦略が不可欠である。かつてa-IGZOが広範なライセンス展開で世界標準となったように、本研究で培った材料科学の学理と知財も、広く活用しやすい形で提供することを目指す。大学ならではのユニークな視点に基づく「水素ブロッキング技術」と「触媒的還元手法」をコア技術として確立し、共同研究や実証を加速したい。ニーズに合わせた柔軟な共創を通じてAI時代を支える半導体の性能向上へ貢献し、グローバルな電子デバイス産業の未来を切り拓きたいと考えている。

キーワード

a-IGZO、水素、触媒、ディスプレイ、次世代DRAMメモリー